| 产品图片 |
产品型号 |
描述 |
发布时间 |
购买 |
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NCV8164AML300TCG |
LDO稳压器，300mA，超低噪声，高PSRR |
2021-06-07 |
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NCV8164AML150TCG |
LDO稳压器，300mA |
2021-06-07 |
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NV25640DWHFT3G |
EEPROM串行64Kb SPI-汽车级0 |
2021-06-07 |
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MMSZ7V5T1G |
500mWBG真人大游 | 首页，SOD123，表面安装齐纳稳压管 |
2021-06-07 |
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FDD86110 |
100V,10.2mΩ,50A,N沟道MOSFET |
2021-06-07 |
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FCP099N65S3 |
650V，30A，99mΩ，N通道功率MOSFET |
2021-06-07 |
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6N137SM |
高速10MBit/s逻辑门光电耦合器 |
2021-06-07 |
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FDB20N50F |
500V，260mΩ，20A，N沟道功率MOSFET |
2021-06-07 |
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FGH40T100SMD-F155 |
1000V,40A,场截止沟道IGBT |
2021-06-07 |
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FDMS86252L |
150V，56mΩ，12A，N沟道功率MOSFET |
2021-06-07 |
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MC100EPT20DTG |
3.3V LVTTL/LVCMOS到差分LVPECL转换器 |
2021-05-13 |
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NLV17SZU04DFT2G |
单无缓冲反相器 |
2021-05-13 |
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NCP303LSN16T1G |
带可编程延迟的电压检测器系列 |
2021-05-13 |
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CAT25020VI-GT3 |
1Kb, 2Kb和4Kb SPI串行CMOS EEPROM |
2021-05-13 |
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NTMS4920NR2G |
30V,17A,N通道，SO-8，功率MOSFET |
2021-05-13 |
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NCV87706DT50RKG |
350mA,5V,低静态电流LDO带复位端 |
2021-05-13 |
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KA7500CDTF |
高达300kHz的PWM控制器可编程频率 |
2021-05-13 |
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MURF1660CTG |
开关模式功率整流管 |
2021-05-13 |
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NST3904F3T5G |
NPN通用晶体管 |
2021-05-13 |
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MC74HC4052ADTR2G |
模拟多路复用器/分配器 |
2021-05-13 |
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MBRB20100CTG |
20A,100V肖特基势垒功率整流器 |
2021-05-13 |
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TIP30CG |
互补型硅塑料功率晶体管 |
2021-05-13 |
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NL17SGU04P5T5G |
单反相器(非缓冲输出) |
2021-05-13 |
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FDP51N25 |
250V,60mΩ,51A,N沟道 UniFETTM MOSFET |
2021-05-13 |
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FDPF3860T |
100V,20A,38.2mΩ,N沟道PowerTrenchMOSFET |
2021-05-13 |
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FAN53526UC89X |
3A，2.4MHz，数字可编程TinyBuck稳压器 |
2021-05-13 |
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NVBLS4D0N15MC |
150VBG真人大游 | 首页，4.4mΩ，187A，单N沟道功率MOSFET |
2021-05-13 |
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NCP302150MNTWG |
集成式驱动器和MOSFET，45A |
2021-05-13 |
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FIN3386MTDX |
低电压，28 位BG真人大游 | 首页，平板显示屏链路串化器/去串化器 |
2021-05-13 |
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NCV8164AML150TCG |
LDO稳压器BG真人大游 | 首页，300mA |
2021-05-13 |
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NCV8164AML250TCG |
LDO稳压器BG真人大游 | 首页，300mA |
2021-05-13 |
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NOIP1FN025KA-GTI |
CMOS 图像传感器，26.2 MP，全局快门 |
2021-05-13 |
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FDBL9403-F085T6 |
40V，0.95mΩ，300A，N沟道功率MOSFET |
2021-05-13 |
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FFSH40120ADN-F155 |
1200V,40A碳化硅肖特基二极管 |
2021-05-13 |
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FSA321UMX |
多媒体和USB 2.0高速和音频开关 |
2021-04-22 |
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NCV8164AML120TCG |
LDO稳压器，300mA，1.2V,超低噪声 |
2021-04-22 |
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NCV8164AML180TCG |
LDO稳压器，300mA，1.8V,超低噪声 |
2021-04-22 |
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FAN9673Q |
功率因数控制器 (PFC)，交错式三通道 CCM |
2021-03-26 |
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RHRG3060 |
30A，600V，超快二极管 |
2021-03-12 |
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NVMFD6H846NLT1G |
80VBG真人大游 | 首页，15mΩ，31A，双N沟道功率MOSFET |
2021-03-12 |
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NTMFS015N15MC |
150V，14mΩ，61ABG真人大游 | 首页，单N沟道功率MOSFET |
2021-03-12 |
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NTPF360N80S3Z |
800V，360mΩBG真人大游 | 首页，13A，N沟道功率MOSFET |
2021-03-12 |
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NVBG080N120SC1 |
1200V，80mΩBG真人大游 | 首页，300A，N沟道碳化硅MOSFET |
2021-03-12 |
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NCV8164AML330TCG |
LDO稳压器BG真人大游 | 首页，300mA |
2021-03-12 |
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NCV8164AMLADJTCG |
LDO稳压器，300mA |
2021-03-12 |
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NCP164AMT180TAG |
LDO稳压器，300mA |
2021-03-12 |
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NCV8164AML280TCG |
LDO稳压器，300mA，2.8V,超低噪声 |
2021-03-12 |
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MBRB2515LT4G |
25A,15V肖特基势垒功率整流器（表贴封装） |
2021-03-05 |
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MC74LCX240DTR2G |
低压CMOS八缓冲器 |
2021-03-05 |
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NLV17SZ125DFT2G |
非反向三态缓冲器 |
2021-03-05 |
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FDC8878 |
30V,16mΩ,8.0A,N沟道PowerTrench MOSFET |
2021-03-05 |
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NTJD4152PT2G |
260mΩ,-20V,-0.88A,双P沟道小信号MOSFET |
2021-03-05 |
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NC7SZ08M5X |
TinyLogic UHS 2输入与门 |
2021-03-05 |
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FAN48610UC50X |
2.5MHz，1A，固定输出同步TinyBoost稳压器 |
2021-03-05 |
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NCP164AMTADJTAG |
LDO稳压器,300mA |
2021-03-05 |
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NCP164AMT120TAG |
LDO稳压器，300mA |
2021-03-05 |
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NRVTSS3100ET3G |
沟道肖特基整流器3A,100V |
2021-02-19 |
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FDMS86180 |
100V，3.2mΩBG真人大游 | 首页，151A，N沟道功率MOSFET |
2021-02-19 |
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FCP190N65S3 |
650V，190mΩ，17A，N沟道功率MOSFET |
2021-02-19 |
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NCV8711ASN330T1G |
LDO稳压器BG真人大游 | 首页，100mA，18V，PG |
2021-02-19 |
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NCP711BMT500TBG |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-02-19 |
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NCV8711ASN300T1G |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-02-19 |
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NCP164AMT280TAG |
LDO稳压器,300mA |
2021-02-19 |
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NCV8711ASN330T1G |
LDO稳压器，100mA，18VBG真人大游 | 首页，PG |
2021-01-29 |
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NCP711ASNADJT1G |
LDO稳压器BG真人大游 | 首页，100 mA，18V |
2021-01-29 |
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NCP711ASN300T1G |
LDO稳压器，100mA，18V，PG |
2021-01-29 |
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NCP711BMT500TBG |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-01-29 |
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NCP711BMT330TBG |
LDO稳压器，100mABG真人大游 | 首页，18V |
2021-01-29 |
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MG2040MUTAG |
低电容ESD?；ふ罅?/td>
| 2021-01-21 |
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NCV5173EDR2G |
1.5A, 280kHz/560 kHz升压调节器 |
2021-01-21 |
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MC74VHC132DTR2G |
四2输入施密特触发正与非门 |
2021-01-21 |
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BCW65CLT1G |
硅NPN通用晶体管 |
2021-01-21 |
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NCP711ASN330T1G |
LDO稳压器，100 mA，18 V |
2021-01-21 |
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NCP711ASN500T1G |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-01-21 |
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NCP711BMT300TBG |
LDO稳压器BG真人大游 | 首页，100mABG真人大游 | 首页，18V，1uA IQ，带PG |
2021-01-21 |
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NCP711BMTADJTBG |
LDO稳压器，100mA，18V,带PG |
2021-01-21 |
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NCP711ASNADJT1G |
LDO稳压器，100 mA，18V |
2021-01-21 |
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NCP711ASN300T1G |
LDO稳压器，100mABG真人大游 | 首页，18V，PG |
2021-01-21 |
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NCV8711ASN300T1G |
LDO稳压器，100mA，18V |
2021-01-21 |
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NCP164AMT280TAG |
LDO稳压器,300mA |
2021-01-21 |
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NCP164AMTADJTAG |
LDO稳压器,300mA |
2021-01-21 |
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NCV8164AML280TCG |
LDO稳压器BG真人大游 | 首页，300mA，2.8V,超低噪声 |
2021-01-21 |
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NCV8164AML120TCG |
LDO稳压器，300mA，1.2V,超低噪声 |
2021-01-21 |
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NCV8164AML180TCG |
LDO稳压器，300mA，1.8V,超低噪声 |
2021-01-21 |
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NCV8164AML300TCG |
LDO稳压器，300mABG真人大游 | 首页，超低噪声BG真人大游 | 首页，高PSRR |
2021-01-21 |
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TLV272DMR2G |
3MHz，低功耗，CMOS运算放大器 |
2021-01-21 |
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NCV272DMR2G |
3MHz，低功耗，CMOS运算放大器 |
2021-01-21 |
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NCP711BMT300TBG |
LDO稳压器，100mA，18V，1uA IQ，带PG |
2021-01-21 |
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NCP711BMTADJTBG |
LDO稳压器，100mABG真人大游 | 首页，18V,带PG |
2021-01-21 |
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NVTFS015N04CTAG |
40V，17.3mΩ，27A，N沟道功率MOSFET |
2021-01-13 |
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FSBB10CH120D |
智能功率?？椋↖PM），1200V，10A |
2021-01-13 |
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NVBG160N120SC1 |
1200VBG真人大游 | 首页，160mΩ，19.5A，N沟道碳化硅MOSFET |
2021-01-13 |
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NCP1063AP100G |
用于离线SMPS的高压开关,100kHz |
2021-01-13 |
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NCP711ASN330T1G |
LDO稳压器，100 mABG真人大游 | 首页，18 V |
2021-01-13 |
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NCP711ASN500T1G |
LDO稳压器BG真人大游 | 首页，100mA，18V |
2021-01-13 |
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FSBB15CH60C |
600V,15A,Motion SPM?3系列智能功率?？?/td>
| 2020-12-28 |
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FCB125N65S3 |
650V，125mΩ，24ABG真人大游 | 首页，N沟道功率MOSFET |
2020-12-28 |
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NCV8711ASN500T1G |
LDO稳压器，100mA，18V，1uA IQ，带PG |
2020-12-17 |
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NTBG160N120SC1 |
1200V，160mΩ，19.5A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-12-17 |
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NTP360N80S3Z |
800V，360mΩ，13A，N沟道功率MOSFET |
2020-12-02 |
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NTD360N80S3Z |
800V，360mΩ，13A，N沟道功率MOSFET |
2020-12-02 |
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NTMFS6H800NLT1G |
单N沟道功率MOSFET 80V，224A，1.8mΩ |
2020-12-02 |
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NTBG160N120SC1 |
1200V，160mΩ，19.5A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-12-02 |
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FCB125N65S3 |
650V，125mΩ，24A，N沟道功率MOSFET |
2020-12-02 |
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FIN1019MTCX |
3.3V高速差分驱动器/接收器 |
2020-11-25 |
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LV8968BBUWR2G |
汽车用多功能BLDC栅极驱动器 |
2020-11-25 |
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NTDS015N15MCT4G |
150V，15mΩ，50A，N沟道功率MOSFET |
2020-11-25 |
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NVBG080N120SC1 |
1200V，80mΩBG真人大游 | 首页，300ABG真人大游 | 首页，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-11-25 |
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NTBG020N120SC1 |
1200V，20mΩ，98A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-11-11 |
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NTBG040N120SC1 |
1200V，56mΩ，60A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-11-11 |
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FFSB20120A |
SiC二极管BG真人大游 | 首页，1200V,20A |
2020-11-11 |
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MBR20100CTTU |
100V，20A肖特基整流器 |
2020-11-11 |
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NTP5D0N15MC |
150V，5mΩ，139A，N沟道功率MOSFET |
2020-11-11 |
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BC557BTF |
PNP双极结外延硅晶体管BG真人大游 | 首页，50V，100mA |
2020-11-11 |
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NTBG020N120SC1 |
1200V，20mΩ，98A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-11-11 |
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NTBG040N120SC1 |
1200V，56mΩ，60A，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-11-11 |
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FFSB20120A |
SiC二极管，1200V,20A |
2020-11-11 |
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NVHL050N65S3HF |
650V，50mΩBG真人大游 | 首页，58A，N沟道功率MOSFET |
2020-11-11 |
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NCV8711ASN500T1G |
LDO稳压器，100mA，18V，1uA IQ，带PG |
2020-11-11 |
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NTPF360N80S3Z |
800V，360mΩBG真人大游 | 首页，13A，N沟道功率MOSFET |
2020-11-11 |
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NVMFS3D6N10MCLT1G |
100V，3.6mΩ，132ABG真人大游 | 首页，N沟道功率MOSFET |
2020-11-11 |
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NTMFS011N15MC |
150V，11.5mΩ，35A单N沟道功率MOSFET |
2020-11-11 |
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FIN1101K8X |
LVDS 1 端口高速中继器 |
2020-10-22 |
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AR0144CSSC00SUKA0-CPBR |
CMOS图像传感器，数字，全局快门，1MPBG真人大游 | 首页，RGB |
2020-10-22 |
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NTMFS3D6N10MCLT1G |
100V，3.6mΩ，131A，N沟道功率MOSFET |
2020-10-22 |
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NTD360N80S3Z |
800V，360mΩ，13A，N沟道功率MOSFET |
2020-10-22 |
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NTMFS015N10MCLT1G |
100V，12.2mΩBG真人大游 | 首页，54A，单N沟道功率MOSFET |
2020-10-22 |
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 |
NVMFS015N10MCLT1G |
100VBG真人大游 | 首页，12.2mΩ，47.1A单N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
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|
NVHL050N65S3HF |
650V，50mΩ，58A，N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
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NVBLS4D0N15MC |
150V，4.4mΩ，187A，单N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
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NVTFS6H860NLTAG |
80V，20mΩ，30ABG真人大游 | 首页，单N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
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NTMFS015N15MC |
150V，14mΩ，61A，单N沟道功率MOSFET |
2020-10-14 |
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NVMFS6H864NLT1G |
80V，29mΩ，22A，单N沟道功率MOSFET |
2020-09-24 |
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NTP5D0N15MC |
150V，5mΩ，139A，N沟道功率MOSFET |
2020-09-14 |
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FDPF44N25T |
250VBG真人大游 | 首页，44A，69mΩ，N沟道功率MOSFET |
2020-08-31 |
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NCV8711ASNADJT1G |
LDO调节器，100mA，18V，带有PG ADJ |
2020-08-31 |
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NCL30486A2DR2G |
智能调光CC/CV PSR控制器线路OVPBG真人大游 | 首页，1%调光 |
2020-08-31 |
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NTBG080N120SC1 |
1200V，110mΩ，30ABG真人大游 | 首页，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-08-31 |
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NTBLS4D0N15MC |
150V，4.4mΩ，187A，N沟道功率MOSFET |
2020-08-31 |
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NTBS9D0N10MC |
100V，9mΩ，60A，N沟道功率MOSFET |
2020-08-31 |
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NCP81172MNTXG |
2相,带集成门驱动和PWM VID接口的同步降压控制器 |
2020-08-17 |
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FUSB252UMX |
高速数字 (HSD) 端口?BG真人大游 | 首页；た?，带 C 型 CC |
2020-08-17 |
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FDMA905P |
单P沟道功率MOSFET -12V，-10A，16mΩ |
2020-08-17 |
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NVMFS6H818NLT1G |
80V，3.2mΩBG真人大游 | 首页，135A，单N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
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NVMFS6H864NLT1G |
80V，29mΩ，22A，单N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
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|
NVMFD6H846NLT1G |
80V，15mΩBG真人大游 | 首页，31A，双N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
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|
NTP360N80S3Z |
800VBG真人大游 | 首页，360mΩBG真人大游 | 首页，13A，N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
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 |
NTTFS1D8N02P1E |
25V，1.3mΩBG真人大游 | 首页，150A，单N沟道功率MOSFET |
2020-08-17 |
|
 |
NCN5130ASGEVB |
NCN5130 KNX Arduino屏蔽兼容评估板 |
2020-08-10 |
|
|
NVBG160N120SC1 |
1200V，160mΩ，19.5ABG真人大游 | 首页，N沟道碳化硅MOSFET |
2020-08-10 |
|
 |
FAN53555UC04X |
5A，2.4MHzBG真人大游 | 首页，数字可编程TinyBuck稳压器 |
2020-07-31 |
|
 |
MBR0530 |
0.5A，30VBG真人大游 | 首页，肖特基功率整流器 |
2020-07-28 |
|
 |
MM3Z12VB |
12.0V,200mW,2%,齐纳二极管 |
2020-07-28 |
|
 |
MMBFJ202 |
N通道通用放大器 |
2020-07-28 |
|
 |
FODM1009R2 |
单通道，DC感应输入BG真人大游 | 首页，光电晶体管光电耦合器 |
2020-07-28 |
|
 |
LM431SCCM32X |
2.5V,±0.5%容差,可调式分流稳压器 |
2020-07-17 |
|
 |
S100 |
1A肖特基势垒整流器 |
2020-07-17 |
|
 |
J175-D26Z |
P通道开关 |
2020-07-17 |
|
 |
NCV8114ASN250T1G |
LDO稳压器，300mABG真人大游 | 首页BG真人大游 | 首页，2.5V AD |
2020-07-06 |
|
 |
NTMFS5H431NLT1G |
40V，106A，3.3mΩBG真人大游 | 首页，单N沟道功率MOSFET |
2020-06-23 |
|
 |
S1DFL |
200V，1A表面通用整流器 |
2020-06-10 |
|
 |
BC858CMTF |
310mW,PNP外延硅晶体管 |
2020-05-28 |
|
 |
FDG8842CZ |
N和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 |
2020-05-28 |
|
 |
ESD7351XV2T1G |
3.3V,150mW,ESD?；ざ?/td>
| 2020-05-28 |
|
 |
NBA3N5573MNTXG |
PCIe时钟发生器，汽车级，双输出，3.3V |
2020-05-28 |
|
 |
NVMFD5C650NLT1G |
60V，111A，4.2mΩ，双N沟道功率MOSFET |
2020-05-28 |
|
 |
1N4740ATR |
齐纳二极管，10V 1W 5% |
2020-05-28 |
|
 |
NCV-RSL10-101Q48-AVG |
无线电SoC |
2020-05-28 |
|
 |
MC74HC164BDR2G |
8位串行输入/并行输出移位寄存器 |
2020-05-21 |
|
 |
NLV14541BDTR2G |
可编程数字计数器 |
2020-05-21 |
|
 |
NLV74HC164ADR2G |
8位串入并出移位寄存器 |
2020-05-21 |
|
 |
NLV74HC164ADTR2G |
8位串入并出移位寄存器 |
2020-05-21 |
|
 |
TL331VSN4T3G |
比较器,单通道,开集极,低功耗,宽电源范围 |
2020-05-21 |
|
 |
NLV9306USG |
双向I2C总线和SMBus电压电平转换器 |
2020-05-21 |
|
 |
CAT24C512HU5IGT3 |
512K,I2C串行存储器 |
2020-05-21 |
|
 |
CAT24M01YI-GT3 |
1Mb,I2C串行EEPROM |
2020-05-21 |
|
 |
CAT25M01YI-GT3 |
1Mb,SPI串行CMOS EEPROM |
2020-05-21 |
|
 |
CAV24C32YE-GT3 |
32Kb,I2C CMOS串行EEPROM |
2020-05-21 |
|
 |
CAV25512VE-GT3 |
512-Kb SPI汽车级串行EEPROM |
2020-05-21 |
|
 |
CAV25M01VE-GT3 |
1Mb,SPI汽车级EEPROM串行 |
2020-05-21 |
|
 |
CAV93C76VE-GT3 |
汽车级8Kb微线串行EEPROM |
2020-05-21 |
|
 |
NV25256MUW3VTBG |
256K位,SPI串行EEPROM |
2020-05-21 |
|
 |
NLV74AC14DR2G |
带施密特触发器输入的六角反相器 |
2020-01-07 |
|
 |
NLV74HC14ADTR2G |
施密特触发入六角反相器 |
2020-01-07 |
|
 |
NLV74HCT14ADR2G |
六角反相器 |
2020-01-07 |
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 |
NLVHCT244ADTR2G |
八路3态非反相缓冲器 |
2020-01-07 |
|
 |
NLV74VHCT08ADTR2G |
四路2输入与门 |
2020-01-07 |
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 |
NLVVHC1G132DFT1G |
具有施密特触发器输入的单路2输入与非门 |
2020-01-07 |
|
 |
NLX1G97MUTCG |
可配置功逻辑门 |
2020-01-07 |
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 |
MC100EP52DR2G |
ECL,差分D触发器 |
2020-01-07 |
|
 |
MC74HC74ADG |
双D触发器,带置位和复位端 |
2020-01-07 |
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 |
NLV14521BDR2G |
24级分频器 |
2020-01-07 |
|
 |
MC74HCT125ADTR2G |
具有LSTTL兼容输入的四路同相三态缓冲器 |
2020-01-07 |
|
 |
MC74VHC50DR2G |
六缓冲器 |
2020-01-07 |
|
 |
MMBT100 |
NPN通用放大器 |
2020-01-07 |
|
 |
FCP125N65S3R0 |
650V,24A,125mΩ,N通道功率MOSFET |
2020-01-07 |
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 |
NTSAF545T3G |
沟槽肖特基整流器，低正向电压，45VBG真人大游 | 首页，5A |
2020-01-07 |
|
 |
NSVR0240HT1G |
40V，0.25A低IR肖特基二极管 |
2020-01-07 |
|
 |
NVC3S5A51PLZT1G |
-60V，-1.8A，250mΩ，P沟道功率MOSFET |
2020-01-07 |
|
 |
AFGB40T65SQDN |
650V，40A IGBT |
2019-12-26 |
|
 |
FGH25N120FTDS |
1200V，25ABG真人大游 | 首页，场截止沟道IGBT |
2019-12-26 |
|
 |
FGY60T120SQDN |
IGBT，超场停止-1200V，60A |
2019-12-26 |
|
 |
NRVHP820MFDT1G |
200V，超快恢复双模整流器 |
2019-12-26 |
|
 |
NRVHPRS1AFA |
0.8A，50V，表面贴装快速恢复整流器 |
2019-12-26 |
|
 |
NRVHPRS1GFA |
0.8A，400V，表面贴装快速恢复二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
NRVUS110VT3G |
1A，100V，超快恢复功率整流器 |
2019-12-26 |
|
 |
FFPF08H60STU |
8A，600V，超高速II代二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
NRVUHS160VT3G |
600VBG真人大游 | 首页，1A超快速整流器 |
2019-12-26 |
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 |
NRVUS360VDBT3G |
600V，3A，表面贴装超快速电源整流器 |
2019-12-26 |
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 |
RHRP30120 |
30A，1200V，超快速二极管 |
2019-12-26 |
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 |
SURS8320T3G |
200V，3A超快恢复功率整流器 |
2019-12-26 |
|
 |
FFSD0465A |
650V，4A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
FFSH40120ADN-F085 |
碳化硅肖特基二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
FFSM0865A |
650V，8A，碳化硅二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
FFSPF0865A |
650V，8A，碳化硅(SiC)肖特基二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
FFSPF1065A |
650V，10A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
NRVB1240MFST1G |
12A，40V肖特基二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
NRVB440MFSWFT1G |
4A，40V，肖特基功率整流器BG真人大游 | 首页，开关模式 |
2019-12-26 |
|
 |
NRVB860MFST1G |
8A，60V，肖特基二极管 |
2019-12-26 |
|
 |
NTS1045EMFST1G |
10A，45V，极低漏电沟槽肖特基整流器 |
2019-12-26 |
|
 |
ESD8004MUTAG |
ESD?；ふ罅?，USB 3.0 |
2019-12-26 |
|
 |
PACDN006MR |
ESD?；ふ罅?/td>
| 2019-12-26 |
|
 |
SZESD7104MUTAG |
ESD?；ざ?，低电容，高速数据 |
2019-12-26 |
|
 |
SZESD9B3.3ST5G |
双向ESD?；ざ?/td>
| 2019-12-26 |
|
 |
FDMC010N08C |
80V，51A，10mΩ，N通道屏蔽栅极功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FDMD8560L |
60V，22ABG真人大游 | 首页，3.2mΩBG真人大游 | 首页，双N沟道功率Trench MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FDMS3620S |
25V，非对称双N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FDMS3626S |
25V，非对称双N沟道功率级MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FDMS3D5N08LC |
80V，136A，3.5mΩBG真人大游 | 首页，单N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FDMS8090 |
100V，40A，13mΩ对称双N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FDPF20N50 |
500V，20ABG真人大游 | 首页，230mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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 |
FDPF4D5N10C |
100V， 128ABG真人大游 | 首页，4.5mΩ，N通道PowerMOSFET |
2019-12-10 |
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 |
FDPF8D5N10C |
100V，76A，8.5mΩ，N沟道屏蔽栅极功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FDS8978 |
30V，7.5A，18mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FDU5N50NZTU |
500V，4A，1.5ΩBG真人大游 | 首页，N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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 |
FDU5N60NZTU |
600V，4A，2Ω，N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FQB9N50CTM |
500V，9A，800mΩBG真人大游 | 首页，N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
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 |
FQL40N50 |
500V，40A，110mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FQP7N80C |
800V，6.6A，1.9Ω，N沟道功率QFET MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
FQP9N50C |
500V，9A，800mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NTB110N65S3HF |
650V，30A，110mΩ，N沟道SUPERFET III MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NTMFS5C442NLTT3G |
40V，130ABG真人大游 | 首页，2.5mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NTMFS5H630NLT1G |
60V，120A，3.1mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NTMFS6B03NT3G |
100VBG真人大游 | 首页，132A，4.8mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NTPF082N65S3F |
650VBG真人大游 | 首页，40A，82mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NTTFS4C05NTWG |
30V，75A，3.6mΩ单N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NTTFS4C08NTAG |
30V，52A，5.9mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NTTFS4C13NTAG |
30V，38A，9.4mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NTTFS5C453NLTWG |
40VBG真人大游 | 首页，107A，3mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NVD3055L170T4G |
60V，9A，170mΩBG真人大游 | 首页，N沟道逻辑电平功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NVHL027N65S3F |
650V，65A，27.4mΩBG真人大游 | 首页，单N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NVHL080N120SC1 |
1200V，44A，80mΩ，N沟道碳化硅MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NVMFS4C310NT1G |
30V，51A，6mΩ，单N通道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NVMFS5C426NWFAFT1G |
40V，235A，1.3mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NVMFS5C638NLWFT1G |
60V，133A，3mΩBG真人大游 | 首页，N沟道MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NVMFS6H818NT1G |
80V，123A，3.7mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
NVMFS6H852NT1G |
80V，43A，14.2mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2019-12-10 |
|
 |
1N5386BRLG |
5W，齐纳二极管 |
2019-12-10 |
|
 |
SZ1SMA5936BT3G |
30V，1.5W齐纳稳压管 |
2019-12-10 |
|
 |
SZBZX84C6V8LT1G |
6.8V，225mW， ±5%齐纳二极管稳压器 |
2019-12-10 |
|
 |
SZMM3Z16VST1G |
16V齐纳二极管电压稳压器 |
2019-12-10 |
|
 |
SZMM3Z43VT1G |
300mW，43VBG真人大游 | 首页，±5%齐纳稳压管 |
2019-12-10 |
|
 |
SZMM5Z2V4T5G |
500mW标准容差齐纳二极管稳压器 |
2019-12-10 |
|
 |
SZMMBZ5234BLT1G |
225mW 5%齐纳稳压管6.2V |
2019-12-10 |
|
 |
SZMMSZ5230BT1G |
500mW，齐纳二极管 |
2019-12-10 |
|
 |
SZMMSZ5237BT1G |
500mW，齐纳二极管 |
2019-12-10 |
|
 |
SZMMSZ5V6T1G |
500mW，5.6V，±5%齐纳稳压管 |
2019-12-10 |
|
 |
FCA20N60 |
600V，20A，190mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-11-21 |
|
 |
NVATS5A113PLZT4G |
-60V，-38A，29.5mΩ，P沟道功率MOSFET |
2019-11-21 |
|
 |
NVATS68301PZT4G |
-100V，-31ABG真人大游 | 首页，75mΩBG真人大游 | 首页BG真人大游 | 首页，P沟道功率MOSFET |
2019-11-21 |
|
 |
CPH6445-TL-W |
60VBG真人大游 | 首页，3.5A，117mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-11-21 |
|
 |
FDC8886 |
30VBG真人大游 | 首页，6.5A，23mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-11-21 |
|
 |
FDD5810-F085 |
60V，36A，27mΩ，N沟道逻辑电平Trench MOSFET |
2019-11-21 |
|
 |
FDI038AN06A0 |
60V，80A，3.8mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-11-21 |
|
 |
FDL100N50F |
500V，100A，55mΩ，N沟道UniFETTM MOSFET |
2019-11-21 |
|
 |
AR0144CSSC00SUKA0-CRBR1 |
CMOS图像传感器 |
2019-11-21 |
|
 |
AR0144CSSM00SUKA0-CRBR1 |
1MP图像传感器 |
2019-11-21 |
|
 |
AR0220AT3B00XUEA0-DPBR |
CMOS图像传感器 |
2019-11-21 |
|
 |
AR0220AT3C00XUEA0-DPBR |
1.7MP图像传感器 |
2019-11-21 |
|
 |
NOIP1FN0300A-QTI |
CMOS图像传感器，0.3MP，全局快门 |
2019-11-21 |
|
 |
FCB36N60NTM |
600V，36A，90mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
FCD850N80Z |
800V，6A，850mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
FCH077N65F-F155 |
650 V，54 A，77mΩBG真人大游 | 首页，N通道功率MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
FCH47N60F-F133 |
600V，47A，73mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
FCH47N60NF |
600V，45.8A，65mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
FCP22N60N |
600V，22A，165mΩ，N沟道SupreMOS MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
FCP36N60N |
600V，36ABG真人大游 | 首页，90mΩ，N沟道SupreMOS MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
FCPF165N65S3R0L |
650V，19ABG真人大游 | 首页，165mΩ，N沟道SUPERFET III MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
FCPF190N60E |
600V，20.6A，190mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
FCPF190N65S3R0L |
650V，17ABG真人大游 | 首页，190mΩ，N沟道SUPERFET III MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
FCPF20N60 |
600V，190mΩ，20A，N通道功率MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
FCPF250N65S3L1 |
650V，12ABG真人大游 | 首页BG真人大游 | 首页，250mΩBG真人大游 | 首页，N通道功率MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
FCU850N80Z |
800V，6A，850mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-11-01 |
|
 |
MB10S |
0.5A,整流桥 |
2019-11-01 |
|
 |
74LVC06ADR2G |
具有漏极开路输出和5V容差低压六路反向器 |
2019-11-01 |
|
 |
NC7SZ32L6X |
2输入或门 |
2019-11-01 |
|
 |
FAN3852UC16X |
具有数字输出的麦克风前置放大器 |
2019-11-01 |
|
 |
2SA2039-E |
-50V，-5A，低VCE(sat)BG真人大游 | 首页，PNP双极晶体管 |
2019-10-10 |
|
 |
CPH5524-TL-E |
PNP/NPN互补低VCE(Sat)晶体管BG真人大游 | 首页，(-)50V，(-)6A |
2019-10-10 |
|
 |
NSS1C300ET4G |
3A，100V低VCE（sat）PNP晶体管 |
2019-10-10 |
|
 |
NSVF5488SKT3G |
用于低噪声放大器的RF晶体管 |
2019-10-10 |
|
 |
GBPC3508 |
35A，桥式整流器 |
2019-10-10 |
|
 |
2SK3557-7-TB-E |
15V，10~32mA，N沟道JFET |
2019-10-10 |
|
 |
SMMBFJ177LT1G |
P沟道JFET晶体管 |
2019-10-10 |
|
 |
SZMMBZ5226BLT1G |
225mW,3.3V,±5%齐纳稳压管 |
2019-10-10 |
|
 |
SZMMSZ4705T1G |
18V，齐纳稳压管 |
2019-09-19 |
|
 |
SZMMSZ5233BT1G |
500mW，齐纳二极管 |
2019-09-19 |
|
 |
SURA8260T3G |
600V，2A超快恢复功率整流器 |
2019-09-19 |
|
 |
NRVS3KB |
3A，800V表面贴装整流器 |
2019-09-19 |
|
 |
SBAS21DW5T1G |
250V高压开关二极管 |
2019-09-19 |
|
 |
NSVBAS20LT3G |
200V开关二极管 |
2019-09-19 |
|
 |
SZSM05T1G |
5V，双路共阳二极管TVS带ESD?；?/td>
| 2019-09-19 |
|
 |
SRV05-4MR6T1G |
具有低钳位电压的ESD?；ざ?/td>
| 2019-09-19 |
|
 |
SZESD7016MUTAG |
USB 3.0，低电容，ESD?；ざ?/td>
| 2019-09-19 |
|
 |
ESDU3121MXT5G |
12V单向ESD?；て骷?/td>
| 2019-09-19 |
|
 |
ESD8704MUTAG |
单向高速数据线?；?/td>
| 2019-09-19 |
|
 |
MUN5213DW1T3G |
双路NPN双极数字晶体管 |
2019-09-19 |
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 |
NSBA124EDXV6T1G |
50V双极数字晶体管(BRT) |
2019-09-19 |
|
 |
NSVMMUN2233LT3G |
NPN双极数字晶体管(BRT) |
2019-09-19 |
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 |
NCP1117DT18T5G |
1A,1.8V低压差稳压器 |
2019-09-19 |
|
 |
NRVTSAF360T3G |
60V,3A,低正向沟槽肖特基整流器 |
2019-09-03 |
|
 |
NSVR201MXT5G |
用于混频器和探测器的肖特基势垒二极管 |
2019-09-03 |
|
 |
NSVR351SDSA3T1G |
用于混频器和探测器的肖特基势垒二极管 |
2019-09-03 |
|
 |
NTSAF345T3G |
45V,3A,沟槽肖特基整流器,低正向电压 |
2019-09-03 |
|
 |
NTSB40100CTT4G |
40A,100V,双通道肖特基功率整流器 |
2019-09-03 |
|
 |
SBAS40-04LT1G |
40V,双路肖特基二极管 |
2019-09-03 |
|
 |
SBRA8160T3G |
60V,1A肖特基整流二极管 |
2019-09-03 |
|
 |
SBRD81045T4G |
45V,10A开关模式肖特基功率整流器 |
2019-09-03 |
|
 |
NRVBB4030T4G |
30V,40A肖特基整流二极管 |
2019-09-03 |
|
 |
NRVBAF260T3G |
60V，2A低VF肖特基整流器 |
2019-09-03 |
|
 |
1SMF5920BT1G |
6.2V，齐纳二极管 |
2019-09-03 |
|
 |
MM3Z75VB |
75V，200mW，2%，齐纳管 |
2019-09-03 |
|
 |
SZ1SMB5918BT3G |
5.1V，3.0W，齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
|
 |
SZBZX84B18LT1G |
250mWBG真人大游 | 首页，18V，±2%，齐纳二极管电压调节器 |
2019-09-03 |
|
 |
SZBZX84B5V6LT1G |
225mW，5.6VBG真人大游 | 首页，±2%齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
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 |
SZBZX84C13ET1G |
225W，13V，齐纳二极管 |
2019-09-03 |
|
 |
SZMM3Z22VT1G |
300mWBG真人大游 | 首页，22V，±5%，齐纳二极管电压调节器 |
2019-09-03 |
|
 |
SZMM3Z4V7T1G |
300mW，4.7V，±5%，齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
|
 |
SZMM5Z5V1ST1G |
500mW，5.1V，±2%，齐纳稳压二极管 |
2019-09-03 |
|
 |
SZMM5Z5V6ST1G |
500mW，5.6V，±2%，齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
|
 |
SZMMBZ15VAWT1G |
40W，15V，齐纳?；ざ?/td>
| 2019-09-03 |
|
 |
SZMMSZ27T1G |
500mW，27VBG真人大游 | 首页，±5%，齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
|
 |
SZMMSZ4694T1G |
8.2V，齐纳稳压管 |
2019-09-03 |
|
 |
SZMMSZ4704T1G |
17V低电流齐纳二极管电压稳压器 |
2019-09-03 |
|
 |
FDN537N |
30VBG真人大游 | 首页，6.5ABG真人大游 | 首页，23mΩBG真人大游 | 首页，N沟道功率MOSFET |
2019-09-03 |
|
 |
MURA205T3G |
50V，2A超快恢复功率整流器 |
2019-09-03 |
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 |
NRVUD340T4G |
400V，3A超快开关模式功率整流器 |
2019-09-03 |
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 |
NRVUS360VBT3G |
600V，3ABG真人大游 | 首页，超快速整流器 |
2019-09-03 |
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 |
AFGHL40T65SPD |
650V，40A，IGBT |
2019-08-16 |
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 |
FGA15N120ANTDTU-F109 |
1200V，15A，NPT沟道IGBT |
2019-08-16 |
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 |
FGA25N120ANTDTU |
1200V，25A，NPT沟道IGBT |
2019-08-16 |
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 |
FGA50T65SHD |
650V，50A，场截止沟道IGBT |
2019-08-16 |
|
 |
FGH75T65SQDNL4 |
650VBG真人大游 | 首页，75A，隔离门双极晶体管(IGBT)BG真人大游 | 首页，场截止型 |
2019-08-16 |
|
 |
FGL40N120ANTU |
1200V，40ABG真人大游 | 首页BG真人大游 | 首页，NPT IGBT |
2019-08-16 |
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 |
FGL60N100BNTDTU |
1000V，60A，NPT沟道IGBT |
2019-08-16 |
|
 |
FGPF15N60UNDF |
600VBG真人大游 | 首页BG真人大游 | 首页，15A，IGBT |
2019-08-16 |
|
 |
SGH40N60UFDTU |
600V，20A，PT IGBT |
2019-08-16 |
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 |
HGTG20N60B3 |
600V， 20A，PT IGBT |
2019-08-16 |
|
 |
FFSB0665A |
650V，6ABG真人大游 | 首页，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSB0865A |
-650V ，8A BG真人大游 | 首页，碳化硅(SiC)肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSB1065A |
-650V，10A，碳化硅(SIC)肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
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FFSB1265A |
-650VBG真人大游 | 首页，12A，碳化硅肖特基二极管， |
2019-08-16 |
|
 |
FFSD0665A |
-650V，6ABG真人大游 | 首页，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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 |
FFSD0865A |
-650V，8ABG真人大游 | 首页，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSH10120A |
1200VBG真人大游 | 首页，10A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSH10120A-F085 |
1200V，10ABG真人大游 | 首页，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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 |
FFSH15120A |
1200V，15A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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 |
FFSH1665A |
-650V，16A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSH1665ADN-F155 |
650VBG真人大游 | 首页，16A，碳化硅肖特基二极管， |
2019-08-16 |
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 |
FFSH2065A |
20A，-650V，碳化硅二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSH3065ADN-F155 |
650V，30A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSH3065B-F085 |
650V，30A，汽车级碳化硅(SiC)肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSH40120A |
1200V，40A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSH4065A |
650V，40A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSH4065ADN-F155 |
650V，40A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
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 |
FFSH50120A |
1200V，50A，碳化硅二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FFSP2065A |
-650V，20A，碳化硅肖特基二极管 |
2019-08-16 |
|
 |
FYPF2010DNTU |
肖特基势垒整流器 |
2019-08-16 |
|
 |
FDP8D5N10C |
100V，76A，8.5mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FDPF045N10A |
100V，67ABG真人大游 | 首页，4.5mΩ，N沟道功率Trench MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FDPF190N15A |
150V，27.4A，19mΩ，N沟道功率Trench MOSFET |
2019-07-22 |
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 |
FDS3992 |
100V，4.5A，62mΩBG真人大游 | 首页，双N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FDS6898AZ-F085 |
20V，9.4A，10mΩ，逻辑电平双N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FDV303N |
25VBG真人大游 | 首页，0.68ABG真人大游 | 首页，0.45Ω，数字FET，N沟道MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FQA13N80-F109 |
800V，12.6A，750mΩ，N沟道 QFET MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FQA24N50 |
500VBG真人大游 | 首页BG真人大游 | 首页，24A，200mΩ，N沟道QFET MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FQA38N30 |
300V，38.4A，85mΩ，N沟道QFET MOSFET |
2019-07-22 |
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 |
FQA40N25 |
250V，40A，70mΩ，N沟道QFET MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FQA9N90C-F109 |
900V，9A，1.4Ω，N沟道QFET MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FQD9N25TM |
250VBG真人大游 | 首页，7.4A，420mΩ，N沟道QFET MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FQP11N40C |
400V，10.5A，530mΩ，N沟道功率QFET MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FQPF8N60C |
600V，7.5A，1.2Ω，N沟道QFET Power MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NTHL082N65S3F |
650V，40A，82mΩ，N沟道Power MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NTMFS4C024NT1G |
30V，78A，2.8mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NTMFS5C645NLT1G |
60V，100A，4.0mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NTMFS6D1N08HT1G |
80V，89ABG真人大游 | 首页，5.5mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NVBLS0D7N04M8TXG |
40V，240A，0.75mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NVMFD5C470NT1G |
40V，36A，11.4mΩ，双N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NVMFD5C478NLT1G |
40V，29A，14.5mΩBG真人大游 | 首页，双N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NVMFS5C450NLAFT1G |
40V，110A，2.8mΩBG真人大游 | 首页，N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NVMFS5C460NLWFAFT1G |
40V，78A，4.5mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NVMFS5C466NT1G |
40V，49A，8.1mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NVMFS5C628NLWFAFT1G |
60V，150A，2.4mΩ，单N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NVMFS5C677NLT1G |
60VBG真人大游 | 首页，36A，15mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NVMFS5C680NLWFT1G |
60V，21A，27.5mΩBG真人大游 | 首页，N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NVTR4503NT1G |
30V，2.5A，110mΩBG真人大游 | 首页，小信号N沟道MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NTPF110N65S3HF |
650V，30A，110mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FCP165N65S3 |
650V，19A，165mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FDB9409-F085 |
40VBG真人大游 | 首页，80ABG真人大游 | 首页，3.5mΩ，车用N沟道MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FDS89161LZ |
100V,2.7A,105mΩ,双N沟道屏蔽栅极MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FGH20N60UFDTU |
600V,20A,场截止IGBT |
2019-07-22 |
|
 |
NLV74HC14ADR2G |
带施密特触发器输入的六角反相器 |
2019-07-22 |
|
 |
TL331SN4T3G |
比较器，单通道，开集极，低功耗，宽电源范围 |
2019-07-22 |
|
 |
FCP20N60 |
600V，190mΩ，20A，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FCH47N60N |
600V，62mΩ，47A，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FQP5N60C |
600V，2500mΩ，4.5A，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
FQPF10N60C |
600VBG真人大游 | 首页，730mΩ，9.5A，N通道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NTP4813NLG |
30V，13.1mΩBG真人大游 | 首页，51A，N沟道MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
NVHL072N65S3 |
650V，72mΩ，44A，单N沟道功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
MCH6663-TL-W |
N&P沟道互补双功率MOSFET |
2019-07-22 |
|
 |
AR0144ATSM20XUEA0-DPBR |
"AR0144ATSM20XUEA0-DPBR"CMOS图像传感器 |
2019-07-22 |
|
 |
FCP600N65S3R0 |
650VBG真人大游 | 首页，6A，600mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-06-28 |
|
 |
FCPF125N65S3 |
650V，24A，125mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-06-28 |
|
 |
FCPF250N65S3R0L |
650V，12A，250mΩ，N通道功率MOSFET |
2019-06-28 |
|
 |
FCPF360N65S3R0L |
650V，10A，360mΩBG真人大游 | 首页，N通道功率MOSFET |
2019-06-28 |
|
 |
FCPF600N65S3R0L |
650V，6A，600mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-06-28 |
|
 |
FCU4300N80Z |
800V，1.6A，4.3Ω，N沟道SuperFET II MOSFET |
2019-06-28 |
|
 |
FDA18N50 |
500V，19A，265mΩ，N沟道 UniFETTM MOSFET |
2019-06-28 |
|
 |
FDB1D7N10CL7 |
100V，268A，1.7mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-06-28 |
|
 |
FDD4N60NZ |
600V，3.4A，2.5ΩBG真人大游 | 首页，N沟道UniFETTM II MOSFET |
2019-06-28 |
|
 |
FDD5612 |
60V，18A，55mΩ，N沟道PowerTrench MOSFET |
2019-06-28 |
|
 |
FDD86581-F085 |
60V，25A，15mΩBG真人大游 | 首页，N沟道 PowerTrench MOSFET |
2019-06-28 |
|
 |
FDMS003N08C |
80VBG真人大游 | 首页，147ABG真人大游 | 首页，3.1mΩ，N沟道PowerTrench MOSFET |
2019-06-28 |
|
 |
FDP4D5N10C |
100V，128A，4.5mΩ，N沟道功率Trench MOSFET |
2019-06-28 |
|
|
AR0144ATSM20XUEA0-DPBR |
"AR0144ATSM20XUEA0-DPBR"CMOS图像传感器 |
2019-06-14 |
|
 |
CAT34TS02VP2GT4C |
温度传感器,带EEPROM |
2019-06-14 |
|
 |
FFSP15120A |
1200V,15A,碳化硅肖特基二极管 |
2019-06-14 |
|
 |
FDD9510L-F085 |
13.5mΩ，-40V，-50ABG真人大游 | 首页，P沟道功率Trench MOSFET |
2019-06-14 |
|
 |
NTR3A052PZT1G |
47mΩ，-20V，-3.6ABG真人大游 | 首页，P沟道功率MOSFET |
2019-06-14 |
|
 |
NVATS5A304PLZT4G |
6.5mΩ，-60V，-120A，P沟道功率MOSFET |
2019-06-14 |
|
 |
NTLUS3A39PZTAG |
39mΩ，-20V，-5.2A，P沟道功率MOSFET |
2019-06-14 |
|
 |
2V7002WT1G |
60V，340mA，1.6Ω，N沟道小信号MOSFET |
2019-06-14 |
|
 |
FCH040N65S3-F155 |
650VBG真人大游 | 首页，65ABG真人大游 | 首页，40mΩ，N沟道SuperFET III MOSFET |
2019-06-14 |
|
 |
FCH041N60E |
600V，77A，41mΩ，N沟道SuperFET MOSFET |
2019-06-14 |
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FCH072N60F-F085 |
600V，52A，62mΩ，N沟道SuperFET II MOSFET |
2019-06-14 |
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FCH125N65S3R0-F155 |
650VBG真人大游 | 首页BG真人大游 | 首页，24A，125mΩ，N沟道功率MOSFET |
2019-06-14 |
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FCP260N65S3 |
650V，12A，260mΩBG真人大游 | 首页，N沟道功率MOSFET |
2019-06-14 |
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NCV809SN293D2T1G |
2.93V,超低电源电流电压监控器 |
2019-05-31 |
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NRVTS8120EMFST1G |
120V,8A,非常低的漏电,肖特基肖特基整流器 |
2019-05-16 |
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KSP42TA |
300V,500mA,NPN外延硅晶体管 |
2019-05-16 |
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RHRP15120 |
1200V,15A,超高速二极管 |
2019-05-16 |
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FFSH10120ADN-F155 |
共阴极碳化硅(SiC)肖特基二极管,1200V,10A |
2019-05-16 |
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LC05132C01NMTTTG |
电池?；た刂破?集成MOSFET,1节锂离子电池 |
2019-05-16 |
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LC709203FXE-05MH |
单节锂电池电量计[智能电量计] |
2019-05-16 |
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NCP1076ABP100G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2019-05-16 |
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NCP1076BAP130G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2019-05-16 |
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NCP1076BBP065G |
用于稳健和高效电源的增强型离线开关稳压器 |
2019-05-16 |
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LC823450XDTBG |
低功耗,高分辨率音频处理片上系统(SoC) |
2019-03-28 |
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LM2902VDG |
运算放大器,单电源供电,四路 |
2019-03-28 |
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NCV2333DMR2G |
精密运算放大器,低功耗,零漂移,30μV偏移 |
2019-03-28 |
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NCV20072DMR2G |
运算放大器,宽电源范围,3MHz |
2019-03-28 |
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NCS2252SQ2T2G |
50ns,高速低压,轨到轨,漏极开路比较器 |
2019-03-28 |
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NCV2250SN2T1G |
50ns,高速低压,轨到轨,推挽式比较器 |
2019-03-28 |
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NCV214RSQT2G |
电压输出,双向零漂移电流感应放大器 |
2019-03-28 |
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NCP186BMX330TAG |
1A,带使能,快速瞬态响应,线性稳压器 |
2019-03-28 |
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NCV317LBDG |
100mA,线性稳压器,可调输出 |
2019-03-28 |
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NCP114ASN300T1G |
3.0V固定输出,300mA,CMOS LDO稳压器 |
2019-03-28 |
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NCP134AMX110TCG |
具有偏置轨和极低压差的LDO稳压器 |
2019-03-28 |
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NCP160AFCTC330T2G |
250mA,正固定输出LDO稳压器 |
2019-03-28 |
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NCP186AMX120TAG |
1A,带使能,快速瞬态响应,LDO线性稳压器 |
2019-03-28 |
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NCP186AMX295TAG |
1A,带使能,快速瞬态响应,LDO线性稳压器 |
2019-03-28 |
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NCP702SN28T1G |
200mA,2.8V,低压差稳压器 |
2019-03-28 |
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NCP717CMX285TBG |
300mA,2.85V,LDO线性电压稳压器 |
2019-03-28 |
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NCP718ASN180T1G |
LDO稳压器,低Iq,宽输入电压,固定1.8V |
2019-03-28 |
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NCV4263-2CD250R2G |
有使能复位的LDO稳压器 |
2019-03-28 |
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NCV4269CD150R2G |
5V,带延迟,复位调节和检测输出LDO |
2019-03-28 |
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NCV4269CPD50R2G |
LDO,5V,具有延迟,可调节复位和检测输出 |
2019-03-28 |
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NCV8161BMX180TBG |
1.8V,超低噪声和高PSRR LDO稳压器 |
2019-03-28 |
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NCV8163ASN330T1G |
LDO稳压器,超低噪声和高PSRR,3.3V |
2019-03-28 |
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NCV8605MN18T2G |
1.8V,低压差稳压器带ESD?BG真人大游 | 首页；?/td>
| 2019-03-28 |
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NCV8664CDT33RKG |
3.3V,低压差稳压器,非常低Iq |
2019-03-28 |
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NCV8705MWADJTCG |
可调节输出,超低Iq,超低噪声LDO稳压器 |
2019-03-28 |
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FAN49101AUC340X |
2A,1.8MHz,TinyPower I2C降压-升压调节器 |
2019-03-28 |
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NCV6324BMTAATBG |
3MHz,2.0A,同步降压转换器 |
2019-03-28 |
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NCV891334MW50R2G |
降压稳压器,双模,2MHz,低IQ |
2019-03-28 |
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NCV431ASNT1G |
低电压精密可调分流稳压器 |
2019-03-28 |
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FSL4110LRN |
包含线路 OVP 但不包含偏置绕组的 1000V 集成电源开关,用于 9W 离线反激式转换器 |
2019-03-14 |
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FSBF15CH60BT |
600V,15A,智能电源?？?/td>
| 2019-03-14 |
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FQPF6N90C |
900V,6A,2.3Ω,N沟道MOSFET |
2019-02-26 |
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NJVMJD31CT4G |
3A,100V,NPN双极功率晶体管 |
2019-02-26 |
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FDMA530PZ |
单P沟道 PowerTrench? MOSFET,-30V |
2019-02-26 |
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SC432BVSNT1G |
电压参考,低阴极电流,可编程,分流稳压器 |
2019-02-26 |
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KAI-4021-ABA-CD-BA |
4.2MP,CCD图像传感器,单色 |
2019-02-26 |
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FGH75T65SQD-F155 |
650V,75A,场截止沟道IGBT |
2019-02-26 |
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FAN7711MX |
镇流器控制集成电路 |
2018-12-27 |
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NB3N2304NZMNR4G |
1:4时钟/数据扇出缓冲器 |
2018-12-14 |
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FNA41560B2 |
MotionSPM?45系列,更长的针脚 |
2018-11-22 |
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NCS213RSQT2G |
电压输出,双向零漂移电流感应放大器 |
2018-11-22 |
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CAT5140ZI-00-GT3 |
256抽头的数字电位器I2C,100kΩ |
2018-11-22 |
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NTMFD5C674NLT1G |
60V,42A,14.4mΩ,双N沟道功率MOSFET |
2018-11-01 |
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