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    厂商: Infineon Technologies
    库存件数: 287
    货期: 现货
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    • 规格参数
    • 技术文档

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    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3500
    最大漏极电流Id(on)(A):0.23
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):SOT-23-3/-55~150
    描述:60V,0.23A,N沟道功率MOSFET
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